Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MVGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MVGSF1N02LT
MVGSF1N02LT1G Hakkında
MVGSF1N02LT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 750mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 90mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde minimum threshold gerilimi 2.4V'dir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında olup, maksimum 400mW güç dağılımına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, küçük sinyal sürücü devreleri, invertör kontrol devreleri ve düşük voltaj dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok