Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MVB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G Hakkında
MVB50P03HDLT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürme gerilimi ile standart kontrol devrelerine entegre edilebilir. 25mOhm on-direnç, 125W güç tüketim kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım işleyen sistemlerde verimli ısı yayılımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok