Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MTY100N10E
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MTY100N10E
MTY100N10E Hakkında
MTY100N10E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile 100A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-264 paket tipinde sunulan komponentin maksimum 300W güç dağıtabilme kapasitesi vardır. 11mOhm (50A, 10V koşullarında) düşük üzerinde direnci, anahtarlama devrelerinde, inverter tasarımlarında, motor kontrollerinde ve indüstriyel güç yönetimi sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ve ±20V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 378 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-264 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok