Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTP23P06VG

MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
MTP23P06V

MTP23P06VG Hakkında

MTP23P06VG, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 120mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 90W güç dağıtabilen bu FET, motorlar, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel kontrolörlerde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montaj tipi tercih edilen uygulamalarda tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok