Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTDF2N06HDR2

MOSFET N-CH 60V 1.5A MICRO8

Paket/Kılıf
Micro8
Seri / Aile Numarası
MTDF2N06HDR2

MTDF2N06HDR2 Hakkında

MTDF2N06HDR2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, Micro8 SMD paketinde sunulmaktadır. 220mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar ve 1.25W güç tüketim kapasitesiyle tasarlanmıştır. Threshold gerilimi 3V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve inverter tasarımlarında kullanılır. Düşük kapasitans değerleri (Ciss: 200pF) hızlı anahtarlama performansını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package Micro8™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok