Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTD6P10E

MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MTD6P10E

MTD6P10E Hakkında

MTD6P10E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 660mOhm maksimum On-direnci ve 22nC gate yükü özellikleriyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve batarya şarj devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 1.75W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uyarlanabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok