Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MTD6N20ET4G
MTD6N20ET4G Hakkında
MTD6N20ET4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 700mOhm RDS(on) değeri sunarak verimli iletkenlik sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. Maximum 1.75W (Ta) güç tüketimi ile termal yönetimi optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok