Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTD6N15T4GV

MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MTD6N15T4GV

MTD6N15T4GV Hakkında

MTD6N15T4GV, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate voltajında 300mOhm maksimum On-direnci değerine ulaşır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 30nC gate charge ve 1200pF input kapasitanslı yapısı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen MTD6N15T4GV, güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüler ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok