Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTD3055VL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MTD3055VL

MTD3055VL Hakkında

MTD3055VL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine ve 12A sürekli drain akımına (Id) sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 180mOhm maksimum On-State direnci (Rds On) ve 2V gate threshold gerilimi (Vgs(th)) ile düşük güç kaybında çalışmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında işletilebilir ve maksimum 48W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve düşük voltaj anahtarlayıcı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok