Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MTD3055V
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MTD3055V
MTD3055V Hakkında
MTD3055V, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltajında 150mOhm maksimum on-direnci (Rds On) sunarak verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde gelmektedir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılan bir komponenttir. 48W (Tc'de) maksimum güç dağılımı yeteneği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok