Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MTB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G Hakkında
MTB50P03HDLT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 5V gate sürüş geriliminde 25mOhm'luk düşük on-direnci (Rds) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, motor kontrol, pil şarj devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. Gate yükü 100nC ve kapasitansi 4900pF olarak belirtilmiştir. Lütfen yeni tasarımlarda alternatif seçenekleri değerlendirin.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok