Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTB50P03HDLG

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
MTB50P03HDLG

MTB50P03HDLG Hakkında

MTB50P03HDLG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5V drive voltajında 25mΩ üzerine kapalı direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, invertör devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alan şalter devreleri için uygun konumdadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 125W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Dikkat: Bu ürün üretim sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok