Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MTB30P06VT4G

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
MTB30P06VT4G

MTB30P06VT4G Hakkında

MTB30P06VT4G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 30A sürekli akım kapasitesiyle güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlamalı regülatör devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 10V gate sürme voltajında 80mOhm on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 125W güç dağılımında kullanılabilir. Düşük gate charge (80nC @ 10V) hızlı anahtarlamasına olanak sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok