Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSJP11N65A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSJP11N65A
MSJP11N65A-BP Hakkında
MSJP11N65A-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol işlevlerinde kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel inverterler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 380mΩ maksimum on-state direnci ve düşük kapı yükü, verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 83.3W güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok