Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSJP11N65-BP
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSJP11N65
MSJP11N65-BP Hakkında
MSJP11N65-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş geriliminde 380mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 78W güç yayılabilir. Gate şarjı 21nC olup, kapasitif yüklerin kontrolünde avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB (H) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok