Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC750SMA170SA

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM TO-26

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
MSC750SMA170SA

MSC750SMA170SA Hakkında

MSC750SMA170SA, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı bir güç MOSFET'idir. 1700V yüksek blokaj voltajı ve 750mΩ on-state direnci ile tasarlanmıştır. 6A sürekli drenaj akımı ve 63W maksimum güç saçılımı kapasitesi sunmaktadır. Yüksek voltaj güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama hızı yüksek sistemlerde ve düşük kayıp gerektiren endüstriyel dönüştürücülerde kullanılır. TO-268-3 yüzey montajlı paket ile gelmektedir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 1000 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940mOhm @ 2.5A, 20V
Supplier Device Package TO-268
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.25V @ 100µA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok