Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC750SMA170B

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
MSC750SMA170B

MSC750SMA170B Hakkında

MSC750SMA170B, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET transistörüdür. 1700V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 940mΩ maksimum on-direnci ile düşük konduktif kayıplar sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-55°C ~ 175°C) güvenilir çalışma sunar ve 68W'a kadar güç dağıtabilir. Çevirici, invertör ve yüksek gerilim güç elektronik sistemlerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 1360 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940mOhm @ 2.5A, 20V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.25V @ 100µA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok