Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC70SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC70SM120JCU3

MSC70SM120JCU3 Hakkında

MSC70SM120JCU3, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistördür. 89A sürekli tahliye akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. SOT-227 (ISOTOP) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motorlu tahrik sistemlerinde yer alır. 31mOhm maksimum Rds(On) değeri ile enerji kaybını düşürür. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 395W maksimum güç dağıtımı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. Düşük kapı yükü (232nC @ 20V) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok