Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC70SM120JCU2

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC70SM120JCU2

MSC70SM120JCU2 Hakkında

MSC70SM120JCU2, Microchip Technology tarafından üretilen SiCFET teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V Drain-Source gerilimi ve 89A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 395W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel sürücü devreleri, elektrik araçları, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulama bulur. SOT-227 miniBLOC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 20V gate sürücü gerilimi ile modern anahtarlama devrelerinde verimli kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok