Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC40SM120JCU2

SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC40SM120JCU2

MSC40SM120JCU2 Hakkında

MSC40SM120JCU2, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj N-kanal SiCFET (Silicon Carbide) transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 55A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. SOT-227 (miniBLOC) kasa tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 245W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok