Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC130SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC130SM120JCU3

MSC130SM120JCU3 Hakkında

MSC130SM120JCU3, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 173A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT-227 (ISOTOP®) miniBLOC paketinde monte edilen bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, invertör devreleri, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 745W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 464 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 745W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok