Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC130SM120JCU2

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC130SM120J

MSC130SM120JCU2 Hakkında

MSC130SM120JCU2, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj Silicon Carbide (SiCFET) N-Channel MOSFET'tir. 1200V drain-source voltajında 173A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış, 16mOhm maksimum on-state direnci sunar. SOT-227 (ISOTOP®) chassis mount paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 464nC gate charge ve düşük input kapasitansı (6040pF) ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. 20V drive voltajında optimize edilen cihaz, endüstriyel güç dönüştürme, enerji iletim sistemleri, motor sürücüleri ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek sıcaklık performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 464 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 745W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok