Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC080SMA120S
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC080SMA120S
MSC080SMA120S Hakkında
MSC080SMA120S, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/35A kapasiteli N-channel Silicon Carbide FET transistördür. D3PAK (TO-268-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Yüksek voltaj anahtarlama, güç dönüştürme devreleri, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. SiCFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük dinamik kayıplar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 182W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok