Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC080SMA120B4
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC080SMA120B
MSC080SMA120B4 Hakkında
MSC080SMA120B4, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 37A sürekli akım özelliğine sahiptir. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 100mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Güç elektronikleri uygulamalarında, güç kaynakları, solar invertörleri, elektrikli araçlar ve endüstriyel motor sürücüleri gibi yüksek gerilim anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 200W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile -55°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok