Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC080SMA120B
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC080SMA120B
MSC080SMA120B Hakkında
MSC080SMA120B, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFET transistördür. 37A sürekli dren akımı kapasitesi ve 100mOhm maksimum On-direnç değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 64nC kapı yükü ve -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel dönüştürücüler, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları ve çift yönlü şarj sistemlerinde uygulanır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve daha yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok