Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC060SMA070S

SICFET N-CH 700V 37A D3PAK

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
MSC060SMA070S

MSC060SMA070S Hakkında

MSC060SMA070S, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim kapasitesi ve 37A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 75mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 56nC olup hızlı anahtarlama özelliği vardır. TO-268-3 D³Pak paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel konverter, motor kontrol, güç yönetimi ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 130W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1175 pF @ 700 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package D3PAK
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok