Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC060SMA070B
SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC060SMA070B
MSC060SMA070B Hakkında
MSC060SMA070B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim ve 39A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 75mΩ maksimum açık direnç (Rds On) ve 56nC gate charge ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığı ve 143W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç dönüştürücüler, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve yüksek sıcaklık toleransı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1175 pF @ 700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok