Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC040SMA120S
SICFET N-CH 1200V 64A TO268
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC040SMA120S
MSC040SMA120S Hakkında
MSC040SMA120S, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. 64A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ (20V, 40A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-268-3 (D³Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 303W maksimum güç yayma kapasitesine sahiptir. 137nC @ 20V gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 303W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok