Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC040SMA120J

SICFET N-CH 1200V 53A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
MSC040SMA120J

MSC040SMA120J Hakkında

MSC040SMA120J, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) güç transistörüdür. 1200V Drain-Source gerilim ve 53A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. SOT-227 (ISOTOP®) miniBLOC kasa türüne sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, inverter, welding, motor kontrol ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 20V gate sürme gerilimi ve 137nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SOT-227 (ISOTOP®)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok