Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC035SMA170S

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
MSC035SMA170S

MSC035SMA170S Hakkında

MSC035SMA170S, Microchip Technology tarafından üretilen 1700V SiC (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 35mOhm on-resistance (RDS(on)) ile tasarlanan bu transistör, 59A sürekli dren akımı kapasitesine ve 278W güç dissipasyonuna sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Yüksek voltaj uygulamaları, güç dönüştürücüleri, invertörler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 20V gate drive voltajı ve 3.25V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek verimlilik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 1000 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 20V
Supplier Device Package D3PAK
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.25V @ 2.5mA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok