Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC025SMA120S

SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
MSC025SMA120S

MSC025SMA120S Hakkında

MSC025SMA120S, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET'tir. 1200V drain-source gerilimi ve 89A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, D3PAK (TO-268-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Güç dönüştürücüleri, şarj kontrol devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve daha hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Supplier Device Package D3PAK
Technology SiCFET (Silicon Carbide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok