Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC025SMA120J
SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC025SMA120J
MSC025SMA120J Hakkında
MSC025SMA120J, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel Silicon Carbide FET transistörüdür. 1200V dren-kaynak gerilimi ve 77A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak kaybı sağlar. SiCFET teknolojisi sayesinde yüksek anahtarlama hızı ve düşük kapasitif yükleme özellikleri ile inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik motorlar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, SOT-227-4 ISOTOP® paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SOT-227 (ISOTOP®) |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok