Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC025SMA120B4
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC025SMA120B
MSC025SMA120B4 Hakkında
MSC025SMA120B4, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 103A sürekli drain akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 500W güç yayılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok