Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MSC025SMA120B
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MSC025SMA120B
MSC025SMA120B Hakkında
MSC025SMA120B, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 103A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde monte edilen bu bileşen, 31mOhm maksimum iletim direncine (Rds On) sahip olup anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve yüksek güç dağıtma kapasitesi (500W) ile endüstriyel güç dönüştürme, invertör, UPS ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama, daha düşük parazitik kapasitans ve yüksek sıcaklık dayanımı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok