Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC015SMA070S

SICFET N-CH 700V 126A D3PAK

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
MSC015SMA070S

MSC015SMA070S Hakkında

MSC015SMA070S, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 126A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D³Pak (TO-268-3) paketinde sunulan bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüler, invertörler, şarj sistemleri ve AC/DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında çalışma imkânı tanır. 370W maksimum güç tüketimine sahip olması ise yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 126A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 700 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package D3PAK
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok