Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC015SMA070B4

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
MSC015SMA070B

MSC015SMA070B4 Hakkında

MSC015SMA070B4, Microchip Technology tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı bir N-Channel güç transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ile 140A sürekli drenaj akımını destekleyen bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 paketinde sunulan transistör, 19mΩ maksimum drain-source direncine (Rds On) ve 215nC kapı yükü değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 455W güç dağıtabilir. DC-DC konvertörler, güç kaynakları, elektriksel araçlar ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±23V ve -10V arasında kapı gerilimi değerleri ile çalışabilmesi, çeşitli sürücü devrelerinde kullanılmasını mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 700 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok