Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MSC015SMA070B

SICFET N-CH 700V 131A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
MSC015SMA070B

MSC015SMA070B Hakkında

MSC015SMA070B, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 131A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 19mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 400W güç saçabilir. Endüstriyel konverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji sistemlerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 131A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 700 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok