Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MMFT960T1G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MMFT960
MMFT960T1G Hakkında
MMFT960T1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 (TO-261) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve düşük voltaj DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 1.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışır. 800mW güç dağıtım kapasitesi vardır. Cihaz artık üretimde değildir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok