Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MMDF3N02HDR2G

MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
MMDF3N02

MMDF3N02HDR2G Hakkında

MMDF3N02HDR2G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulur. Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 90mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (18nC) hızlı anahtarlama transiyentleri destekler. Ürün mevcut durumu itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok