Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MMBF170LT1G

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBF170

MMBF170LT1G Hakkında

MMBF170LT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 yüzeye monte paketidir. 10V sürüş geriliminde 5Ω(maks) RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, sinyal anahtarlaması ve düşük güç kontrol sistemlerinde kullanılır. 225mW maksimum güç tüketimi ile mobil cihazlar, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok