Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MMBF170
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MMBF170
MMBF170 Hakkında
MMBF170, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltajı ve 500mA sürekli drain akımı ile çalışabilir. Maksimum 5Ohm on-resistance değeri ile düşük güç kaybında switch uygulamaları gerçekleştirebilir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışan ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunan bu transistör, düşük seviye sinyal yönetimi, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı kontrol devrelerinde kullanılır. 300mW maksimum güç tüketimi ile batarya destekli ve düşük güç uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok