Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

MGSF2N02ELT1G

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MGSF2N02EL

MGSF2N02ELT1G Hakkında

MGSF2N02ELT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, 85mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Gate charge değeri 3.5nC olup, giriş kapasitansi 150pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı dijital lojik kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok