Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MGSF1N03LT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G Hakkında
MGSF1N03LT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss), 1.6A sürekli dren akımı ve 100mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde optimal performans gösterir. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında, düşük güçlü motor kontrollerinde, yük anahtarlarında ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 420mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 420mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok