Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MCP55H12-BP
MOSFET N-CH
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MCP55H12
MCP55H12-BP Hakkında
MCP55H12-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu MOSFET, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponetin maksimum gate gerilimi ±20V, gate eşik gerilimi 4V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok