Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MCMN2014HE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MCMN2014HE3
MCMN2014HE3-TP Hakkında
MCMN2014HE3-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 15A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount DFN2020-6LE paketinde sunulan bu bileşen, 2.5V ile 8V arasında drive voltage aralığında çalışır. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) 1.1V @ 250µA ve maksimum gate yükü 48 nC @ 8V'tur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer alır. Düşük kapı kapasitansı (1791 pF @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1791 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | DFN2020-6LE |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok