Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
MCB60I1200TZ-TUB
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MCB60I1200TZ
MCB60I1200TZ-TUB Hakkında
MCB60I1200TZ-TUB, Littelfuse tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source geriliminde 90A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 34mΩ (20V, 50A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sunar. TO-268AA (D3Pak-HV) paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, endüstriyel sürücülerde ve yenilenebilir enerji sistemlerinde kullanılan modern anahtarlama transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2790 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-268AA (D3Pak-HV) |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok