Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO170E1000
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO170E1000
LSIC1MO170E1000 Hakkında
LSIC1MO170E1000, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 1700V drain-source gerilim kapasitesi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3L paketinde sunulan bu transistör, 20V gate sürüş voltajında 1Ohm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde güç kaybını minimalize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, enerji dönüşüm sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. SiC teknolojisi nedeniyle hızlı anahtarlama ve yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok