Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750 Hakkında
LSIC1MO170E0750, Littelfuse tarafından üretilen 1700V N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFET transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 6.2A sürekli dren akımı ve 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel elektrik çevricileri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri ile enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok