Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0160 Hakkında
Littelfuse LSIC1MO120G0160, 1200V SiC (Silikon Karbür) tabanlı N-Channel MOSFET'tir. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, 22A sürekli drenaj akımı ve 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 125W güç yayılım kapasitesi ile güç elektronikleri, endüstriyel sürücüler, fotovoltaik inverterler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek sıcaklık dayanıklılığı ve hızlı anahtarlama karakteristiği sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok