Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120G0120
LSIC1MO120G0120 Hakkında
Littelfuse LSIC1MO120G0120, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilim yeteneğine sahip olan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-4L paketinde sunulan komponentin 27A kontinü dren akımı kapasitesi ve 150mOhm maksimum RDS(on) değeri vardır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu FET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, solar invertörleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde düşük anahtarlama kaybı, yüksek frekans yeteneği ve iyileştirilmiş ısıl yönetim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 113 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok